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MJE5851G
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MJE5851G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 350V 8A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | PNP |
Series | SWITCHMODE™ |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 3A, 8A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power - Max | 80W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJE5850 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2779 |
MJE5850 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5850G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2754 |
MJE5850G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5851 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2568 |
MJE5851 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5851G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5852 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3115 |
MJE5852 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5294 |
MJE5852 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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