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MJE350STU Especificaciones técnicas

TRANS PNP 300V 0.5A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type PNP
Power - Max 20W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-126
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 20W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Base Part Number MJE350
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE350 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2281
MJE350 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE350G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5423
MJE350G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE350G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2972
MJE350STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 292
MJE350STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE3520G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 735
MJE3521G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 751

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