MJE340G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 300V 0.5A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE340 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 43131
MJE340 IC MOTOROLA CIs Calientes Especializados 764
MJE340/MJE350 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9265
MJE340G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE340STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2944
MJE340STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1299
MJE340STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE3439 MOT CIs Calientes Especializados 2025
MJE3439 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE3439G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2551

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