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MJE2955T Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 10A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 75W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE2955 Original CIs Calientes Especializados 12884
MJE2955T STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10419
MJE2955T ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE2955T IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3401
MJE2955TG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1034
MJE2955TG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE2955TL UTC CIs Calientes Especializados 1578
MJE2955TL-TN3-R UTC CIs Calientes Especializados 2740
MJE2955TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2750
MJE2955TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2525

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