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MJE180G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 40V 3A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 600mA, 3A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 50MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE180 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12519
MJE180 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4190
MJE180 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4061
MJE18002 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2543
MJE18002 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE18002 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE18002G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1179
MJE18002G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE18002G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE18004 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5282

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