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MJE15032 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 250V 8A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 2A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE15024 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10
MJE15028 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1378
MJE15028 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE15028G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2693
MJE15028G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE15029 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 425
MJE15029 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE15029G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2725
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