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MJD5731T4G
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MJD5731T4G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 350V 1A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 1.56W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 10MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MJD57" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD57'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD5731T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2783 |
MJD5731T4 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD5731T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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