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MJD47 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 250V 1A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.56W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 10MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD47 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD47G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2548
MJD47G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD47G J47G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1297
MJD47T4 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4567
MJD47T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 8356
MJD47T4 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD47T4 MCU AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 463
MJD47T4 MOS ST CIs Calientes Especializados 1098
MJD47T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 29976

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