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MJD42CT4G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 100V 6A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD42 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 18921
MJD42C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9836
MJD42C ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD42C MOS CJ CIs Calientes Especializados 4657
MJD42C-1 ON CIs Calientes Especializados 5500
MJD42C-1G ON CIs Calientes Especializados 15487
MJD42C/MJD41C AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 966326
MJD42C1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2636
MJD42C1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD42C1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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