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MJD2955T4 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 10A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD2955 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 793
MJD2955 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955 MOS CJ CIs Calientes Especializados 983
MJD2955-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2686
MJD2955-001 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955-001 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD2955-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2719
MJD2955-1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955-1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD2955-T4 Original CIs Calientes Especializados 2900

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