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MJD243T4 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.4W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 40MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD243 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2744
MJD243 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD243-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 415
MJD243G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2467
MJD243G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD243T4 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD243T4 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD243T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5456
MJD243T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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