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MJD210RLG
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MJD210RLG Especificaciones técnicas
TRANS PNP 25V 5A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 1.4W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Supplier Device Package | DPAK |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 65MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MJD21" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD210 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2377 |
MJD210 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD210 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2221 |
MJD210-TF | SAMSUNG | CIs Calientes Especializados | 60221 |
MJD210G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 573 |
MJD210G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD210L | UTC | CIs Calientes Especializados | 2781 |
MJD210L-TN3-R | UTC | CIs Calientes Especializados | 1548 |
MJD210LT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MJD210RL | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5956 |
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