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MJD128T4 Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
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Otros incluyen   "MJD12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD121E300 NA CIs Calientes Especializados 2262
MJD122 Original CIs Calientes Especializados 5215
MJD122 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 583
MJD122-1 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7400
MJD122-1G ON CIs Calientes Especializados 10371
MJD122-1G/MJD127 ON/FAI CIs Calientes Especializados 10000
MJD122-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2572
MJD122-TP Micro Commercial Co Transistores BJT individuales
MJD122/127 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3205
MJD122/MJD127 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 265315

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