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MJD122G
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MJD122G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 4MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MJD12" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD121E300 | NA | CIs Calientes Especializados | 2262 |
MJD122 | Original | CIs Calientes Especializados | 5215 |
MJD122 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 583 |
MJD122-1 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 7400 |
MJD122-1G | ON | CIs Calientes Especializados | 10371 |
MJD122-1G/MJD127 | ON/FAI | CIs Calientes Especializados | 10000 |
MJD122-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2572 |
MJD122-TP | Micro Commercial Co | Transistores BJT individuales | |
MJD122/127 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3205 |
MJD122/MJD127 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 265315 |
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