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MJB45H11T4G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 2W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 40MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJB45H11 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2506
MJB45H11 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJB45H11G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2703
MJB45H11G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJB45H11T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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