KSE802STU Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSE800 FSC CIs Calientes Especializados 308
KSE800S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2577
KSE800S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSE800S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSE800STSSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714
KSE800STSSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSE800STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2680
KSE800STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 115
KSE800STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSE801STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0

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