KSD986YS Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1.5A 1W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8000 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSD985OSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2504
KSD985OSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2726
KSD986 FSC CIs Calientes Especializados 598
KSD986OS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2668
KSD986OS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSD986YS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3500
KSD986YSTSSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 23324
KSD986YSTSSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1860

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