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KSD2012YTU
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KSD2012YTU Especificaciones técnicas
TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 25W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 25W Through Hole TO-220F |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Supplier Device Package | TO-220F |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | 3MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
KSD2012-G | KEC | CIs Calientes Especializados | 20 |
KSD2012G | FSC | CIs Calientes Especializados | 2689 |
KSD2012GTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3082 |
KSD2012GTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2282 |
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
KSD2012Y | FSC | CIs Calientes Especializados | 6 |
KSD2012YTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2722 |
KSD2012YTU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
KSD2012YYDTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2546 |
KSD2012YYDTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2701 |
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