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KSC2690AOSTSTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.2W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 1.2A 155MHz 1.2W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Base Part Number KSC2690A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 200mA, 1A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 300mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSC261J LFS C&K Interruptores Táctiles 2723
KSC261JLFS C&K Interruptores Táctiles
KSC2669OBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2500
KSC2669OBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSC2669OBU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSC2669YTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2513
KSC2669YTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2559
KSC2669YTA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSC2682-O Original CIs Calientes Especializados 714
KSC2682-Y FSC CIs Calientes Especializados 8069

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