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KSC1173YTSTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 3A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 10W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 100MHz 10W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSC1173OTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2772
KSC1173OTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2589
KSC1173OTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC1173YTSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2548
KSC1173YTSTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC1173YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 11247
KSC1173YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 11013
KSC1173YTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC1187OBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2533
KSC1187OBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2720

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