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J112RL1G Especificaciones técnicas

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - JFETs
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1µA
Supplier Device Package TO-92-3
Power - Max 350mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35V
Resistance - RDS(On) 50 Ohm
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
J112RL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 2631
J112RL1 ON Semiconductor Transistores JFETs
J112RL1 Rochester Electronics, LLC Transistores JFETs
J112RL1G ON Semiconductor Transistores JFETs
J112RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 2535
J112RLRA ON Semiconductor Transistores JFETs
J112RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 66700
J112RLRAG ON Semiconductor Transistores JFETs
J112RLRAG Rochester Electronics, LLC Transistores JFETs

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