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IRLW510ATM
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IRLW510ATM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 2.8A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Detailed Description | N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 37W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
IRLW510ATM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLW510ATM
-
Hojas de datos
IRLW510ATM.pdf
Otros incluyen "IRLW5" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLW5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLW510A | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
IRLW510ATM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2622 |
IRLW530ATM | IR | CIs Calientes Especializados | 5600 |
IRLW530ATM MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 5065 |
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