IRF630B_FP001 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 72W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF630 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1376
IRF630 MOS ST CIs Calientes Especializados 533
IRF630. IR CIs Calientes Especializados 749
IRF630/FP ST CIs Calientes Especializados 838
IRF6305TRL IR CIs Calientes Especializados 1480
IRF630A FAIRCHI CIs Calientes Especializados 645
IRF630A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 563
IRF630APBF VB CIs Calientes Especializados 10437
IRF630B FSC CIs Calientes Especializados 21760
IRF630B MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 336

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