IRF620B_FP001 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 5A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF620 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 78054
IRF620 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 77933
IRF620 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2267
IRF620 SEC SEC CIs Calientes Especializados 1103
IRF6201PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2690
IRF6201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 80413
IRF6201TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF6201TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 3400
IRF620A IR CIs Calientes Especializados 2671
IRF620B Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 695

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