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HUF76633S3ST Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 39A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 39A (Tc) 145W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HUF76009D3S FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 778
HUF76009D3S MOS Intersil CIs Calientes Especializados 608
HUF76009D3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2568
HUF76009D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
HUF76013D3 F CIs Calientes Especializados 10500
HUF76013D3S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1365
HUF76013D3S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11464
HUF76013D3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20209
HUF76013D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1284
HUF76013D3ST Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales

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