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HUF75639S3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 56A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HUF75229P3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2903
HUF75229P3 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18909
HUF75229P3 75229P Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 576
HUF75229P3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5452
HUF75307 HARRIS CIs Calientes Especializados 2550
HUF75307D3 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25009
HUF75307D3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25009
HUF75307D3 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2687
HUF75307D3S FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 1451
HUF75307D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17008

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