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HGTP2N120CN Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off)
Power - Max 104W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 30nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
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Otros incluyen   "HGTP2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'HGTP2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTP20N35G3VL Original CIs Calientes Especializados 28230
HGTP20N36G3VL FSC CIs Calientes Especializados 12388
HGTP20N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 42603
HGTP20N60A4 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 42603
HGTP20N60A4 ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTP20N60A4 G20N60A4 FSC CIs Calientes Especializados 5890
HGTP20N60B3 HAR CIs Calientes Especializados 3631
HGTP20N60B3D Original CIs Calientes Especializados 7240
HGTP20N60C3 Intersil CIs Calientes Especializados 28045
HGTP20N60C3 G20N60C3 FSC CIs Calientes Especializados 13557

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