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HGTG11N120CND Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 43A 298W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/180ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 298W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 43A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTG10N120BN Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 487
HGTG10N120BND Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1488
HGTG10N120BND AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 8117
HGTG10N120BND ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTG11N120CN Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1073
HGTG11N120CN AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5746
HGTG11N120CN ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTG11N120CN Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
HGTG11N120CND Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7970
HGTG11N120CND ON Semiconductor IGBTs individuales

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