HGTD7N60C3S9A Especificaciones técnicas

IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition -
Switching Energy 165µJ (on), 600µJ (off)
Power - Max 60W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 23nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-252AA
Packaging Original-Reel®
Other Names HGTD7N60C3S9AOSDKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTD7N60C3S HARRIS CIs Calientes Especializados 2590
HGTD7N60C3S9A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2995
HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor IGBTs individuales

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