HGT1S3N60A4DS9A Especificaciones técnicas

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Switching Energy 37µJ (on), 25µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 29ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 21nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns
Supplier Device Package TO-263AB
Power - Max 70W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 17A 70W Surface Mount TO-263AB
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGT1S10N120BNS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3141
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2995
HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 578
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor IGBTs individuales

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