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FQP9P25 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 250V 9.4A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 4.7A, 10V
Packaging Tube
Other Names FQP9P25-ND FQP9P25FS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP9P25 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 331
FQP9P25 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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