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FQP10N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 87W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
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Otros incluyen   "FQP10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQP10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP10N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1694
FQP10N20 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 372
FQP10N20C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44411
FQP10N20C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP10N20C MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 313
FQP10N20CTM FSC CIs Calientes Especializados 5346
FQP10N20CTSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
FQP10N20CTSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
FQP10N20L VB CIs Calientes Especializados 5000
FQP10N50CF FSC CIs Calientes Especializados 2696

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