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FQI50N06LTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52.4A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 26.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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Otros incluyen   "FQI50"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQI50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI50N06 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2697
FQI50N06L VB CIs Calientes Especializados 2000
FQI50N06LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
FQI50N06TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
FQI50N06TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
FQI50N06TU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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