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FQI47P06TU Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 23.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI47P06 FSC CIs Calientes Especializados 3104
FQI47P06TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10465

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