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FQD1N60TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD1N60TM

Otros incluyen   "FQD1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD1N50 FSC CIs Calientes Especializados 725
FQD1N50 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5523
FQD1N50B FAI CIs Calientes Especializados 2997
FQD1N50TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQD1N50TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQD1N50TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2560
FQD1N50TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
FQD1N60 FSC CIs Calientes Especializados 36095
FQD1N60C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 3640
FQD1N60C MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 24040

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