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FQD17P06TF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FQD17P06TFCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Otros incluyen   "FQD17"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD17' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD17N08 Original CIs Calientes Especializados 45251
FQD17N08L FAIRCHI CIs Calientes Especializados 32935
FQD17N08L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 512
FQD17N08LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2169
FQD17N08LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32804
FQD17N08LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 45661
FQD17N08LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3005
FQD17N08LTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQD17N10 F CIs Calientes Especializados 32363
FQD17P06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 30288

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