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FQD13N10LTF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Otros incluyen   "FQD13"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD13N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 13227
FQD13N06 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 11407
FQD13N062 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 793
FQD13N06L FAIRCHI CIs Calientes Especializados 67076
FQD13N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1553
FQD13N06L-E3 Original CIs Calientes Especializados 3000
FQD13N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40132
FQD13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5599
FQD13N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 47343
FQD13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 47343

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