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FQD10N20LTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FQD10N20LTMDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD10N10 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 938
FQD10N20 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 10371
FQD10N20C F CIs Calientes Especializados 95461
FQD10N20CTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7439
FQD10N20CTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2372
FQD10N20CTF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 949
FQD10N20CTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24200
FQD10N20CTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24200
FQD10N20CTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQD10N20CTM FQD10N20C Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2357

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