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FQB7N65CTM
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FQB7N65CTM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 173W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 7A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | FQB7N65CTMTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQB7N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQB7N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQB7N10 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6090 |
FQB7N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6457 |
FQB7N10L | VB | CIs Calientes Especializados | 701 |
FQB7N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 268 |
FQB7N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2500 |
FQB7N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2629 |
FQB7N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2555 |
FQB7N10TM | Rochester Electronics, LLC | FQB7N10TM | |
FQB7N20 | FAIRC | CIs Calientes Especializados | 12000 |
FQB7N20L | VB | CIs Calientes Especializados | 17700 |
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