FQB50N06TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQB50N06TM-ND FQB50N06TMFSTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB5050CFTM Fairchild CIs Calientes Especializados 2778
FQB50N03 VB CIs Calientes Especializados 5000
FQB50N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 34955
FQB50N06C VB CIs Calientes Especializados 5000
FQB50N06L FSC CIs Calientes Especializados 37520
FQB50N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23146
FQB50N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2979
FQB50N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 322
FQB50N06LTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQB50N06M VB CIs Calientes Especializados 5000

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