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FQB25N33TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 330V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQB25N33TMTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 330V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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FQB25N33TM Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQB25N33TM

Otros incluyen   "FQB25"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB25' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB25N33 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1644
FQB25N33 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1049
FQB25N33TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12869
FQB25N33TM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2721
FQB25N33TM-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2599
FQB25N33TM-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQB25N33TM_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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