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FQB1P50TM
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FQB1P50TM Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | FQB1P50TMCT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 22 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
FQB1P50TM Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQB1P" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQB1P'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQB1P50TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2794 |
FQB1P50TM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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