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FQA47P06
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FQA47P06 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 27.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | P-Channel 60V 55A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3PN |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQA47P06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5551 |
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