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FQA34N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 17A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
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Otros incluyen   "FQA34"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQA34' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA34N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13437
FQA34N20L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32846
FQA34N20L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32846
FQA34N25 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 899
FQA34N25 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17150

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