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FQA32N20C Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 204W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 32A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-3PN
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA32N20C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6134
FQA32N20C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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