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FQA16N50-F109 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 16A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 16A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3PN
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tube
Other Names FQA16N50_F109 FQA16N50_F109-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA160N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6704
FQA160N08 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6704
FQA160N08 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQA16N25C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
FQA16N25C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2666
FQA16N50 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14509
FQA16N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3651
FQA16N50_F109 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793

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