FJNS3209RTA Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3201RTA ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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