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FGY40T120SMD Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 80A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 370nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C 40ns/475ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 882W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 882W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGY40T120SMD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2251
FGY40T120SMD ON Semiconductor IGBTs individuales

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