FGPF10N60UNDF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 20A 42W TO-220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 150µJ (on), 50µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 37.7ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 37nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 8ns/52.2ns
Supplier Device Package TO-220F-3
Power - Max 42W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGPF10N60UNDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1377
FGPF10N60UNDF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGPF120N30 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2505
FGPF120N30TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2530
FGPF120N30TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2645
FGPF120N30TU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGPF120N30TU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGPF15N60UNDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 11818
FGPF15N60UNDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 11818
FGPF15N60UNDF ON Semiconductor IGBTs individuales

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