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FGP15N60UNDF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 30A 178W TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 370µJ (on), 67µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 82.4ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 43nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C 9.3ns/54.8ns
Supplier Device Package TO-220-3
Power - Max 178W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 600V 30A 178W Through Hole TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGP15N60UNDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6100
FGP15N60UNDF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGP15N60UNDF IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 483

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